发明名称 压力传感器及其制造方法和具备该压力传感器的电子部件
摘要 本发明涉及压力传感器及其制造方法和具备该压力传感器的电子部件,该压力传感器至少具备:半导体基板(11)、在半导体基板(11)的一面(11a)在其区域(α)的内部与该一面(11a)大致平行扩展的第一空隙部(12)、位于第一空隙部(12)的一侧被薄板化膜片部(13)、配置在膜片部(13)上的感压元件(14)以及在半导体基板(11)的一面(11a)除膜片部(13)以外的边缘区域(β)中配置的与感压元件(14)电连接的凸块(15),在半导体基板(11)的内部配置在边缘区域(β)的至少一部分中,相对于半导体基板(11)的一面(11a)封闭的第二空隙部(16)。
申请公布号 CN101566510A 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200910135321.1 申请日期 2009.04.20
申请人 株式会社藤仓 发明人 村重伸一;山本敏
分类号 G01L1/22(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 G01L1/22(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 雒运朴;李 伟
主权项 1、一种压力传感器,至少具备:半导体基板、在所述半导体基板的一面在其中央区域的内部与该一面大致平行地扩展的第一空隙部、位于所述第一空隙部的一侧且被薄板化的膜片部、配置在所述膜片部上的感压元件、以及在所述半导体基板的一面除所述膜片部以外的边缘区域中配置的与所述感压元件电连接的凸块,其特征在于,在所述半导体基板的内部配置有第二空隙部,该第二空隙部配置在所述边缘区域的至少一部分中,相对于所述半导体基板的一面被封闭。
地址 日本东京都