半导体处理用的成膜方法及装置

摘要

本发明是在可选择地供给包含硅烷系气体的第一处理气体、包含氮化物气体或氮氧化物气体的第二处理气体与包含烃气体的第三处理气体的处理区域内，在被处理基板上由CVD而形成绝缘膜。该成膜方法交互具有第一工序、第二工序、第三工序与第四工序。其中所述第一工序对所述处理区域供给第一及第三处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第二处理气体的供给；所述第二工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给；所述第三工序对所述处理区域供给第二处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第一及第三处理气体的供给；所述第四工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给。

主权项

1.一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于，在可选择地供给包含硅烷系气体的第一处理气体、包含氮化物气体或氮氧化物气体的第二处理气体与包含烃气体的第三处理气体的处理区域内，在被处理基板上通过CVD而形成绝缘膜，所述成膜方法交互具有第一工序、第二工序、第三工序与第四工序，所述第一工序对所述处理区域供给第一及第三处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第二处理气体的供给；所述第二工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给；所述第三工序对所述处理区域供给第二处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第一及第三处理气体的供给；所述第四工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给。