| 发明名称 | 功率MOS晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种功率MOS晶体管的制造方法，包括以下步骤：在硅衬底中形成漏极区及外延层；在所述外延层中形成沟槽；依次在所述硅衬底顶表面及所述沟槽中沉积第一及第二氧化层；去除所述硅衬底顶表面及所述沟槽侧壁上的氧化层，在所述沟槽底部形成较厚的底氧化层；在所述沟槽中生长栅氧化层；在所述沟槽中成长多晶硅，通过平坦化或回刻，形成栅极。利用该制造方法制造出的深沟槽功率MOS晶体管，在沟槽底部的栅氧化层的厚度比沟槽侧壁的栅氧化层厚，使功率MOS晶体管的栅极和漏极之间的寄生电容大大减小，从而改善了其开关速度和频率响应，进而使器件具有良好的频率特性，且该方法步骤简单，便于操作，适用于量产。 | ||
| 申请公布号 | CN101567320A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200910052543.7 | 申请日期 | 2009.06.04 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘宪周;克里斯蒂安·皮尔森 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1.一种功率MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅衬底中形成漏极区及外延层；在所述外延层中形成沟槽；依次在所述硅衬底顶表面及所述沟槽中沉积第一及第二氧化层；去除所述硅衬底顶表面及所述沟槽侧壁上的氧化层，在所述沟槽底部形成较厚的底氧化层；在所述沟槽中生长栅氧化层；在所述沟槽中成长多晶硅，通过平坦化或回刻，形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||