一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法

摘要

一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法，属于准一维纳米材料和纳米技术领域。工艺为：将Zn和CoCl₂相邻放置在瓷舟中作为蒸发源，用单晶硅片作为接收衬底放置在距离蒸发源4～6mm的正上方；将瓷舟置于管式炉中，充入100～200ml/min的氩气，5～7min后将氩气的流量保持在55～60ml/min，系统压强为大气压状态；将管式炉加热至800～820℃并保温80～120min，当温度达到设定温度时，通入5～10ml/min的空气10～20min，然后关闭空气的阀门；随炉冷却至室温，将样品取出，硅片表面的绿色沉积物为Co掺杂ZnO纳米柱。优点在于，获得的Zn_1-xCo_xO纳米柱纯度高、产率大，而且具有室温铁磁性，为自旋电子器件的实用化提供了材料基础。

主权项

1、一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法，其特征在于，工艺为：1)将Zn和CoCl2相邻放置在瓷舟中作为蒸发源，用单晶硅片作为接收衬底放置在距离蒸发源4～6mm的正上方；2)将瓷舟置于管式炉中，充入100～200ml/min的氩气，5～7min后将氩气的流量保持在55～60ml/min，系统压强为大气压状态；3)将管式炉加热至800～820℃并保温80～120min，当温度达到设定温度时，通入5～10ml/min的空气10～20min，然后关闭空气的阀门；4)当管式炉的温度随炉冷却至室温时，将样品取出，硅片表面的绿色沉积物为Co掺杂ZnO纳米柱；纳米柱在室温条件下具有铁磁性。