发明名称 |
用于纳米压印的压模及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于纳米压印技术,提供一种纳米压印的压模,其包括一基底;多个纳米结构形成于该基底,其与该基底是一整体;及一镀层覆盖于该纳米结构的表面;该镀层是纳米类金刚石碳膜或纳米晶金刚石膜。所述基底及纳米结构的材料是选自碳化硅、氮化硅或碳氮化硅。上述镀层厚度为纳米级,最好在10纳米以下。另外,本发明还提供这种压模的制备方法。首先利用微影蚀刻技术于硅基底形成纳米图案,然后沉积形成初步模仁,经脱膜将初步模仁与硅基底脱离,初步模仁一表面形成与硅基底的纳米图案相对应的纳米结构,最后在形成有纳米结构的初步模仁的表面镀上纳米类金刚石碳膜或纳米晶金刚石膜得到纳米压印的压模。 |
申请公布号 |
CN100555076C |
申请公布日期 |
2009.10.28 |
申请号 |
CN200410050945.0 |
申请日期 |
2004.07.26 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
简士哲 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种用于纳米压印的压模,其包括:一基底;多个纳米结构自该基底延伸出;其特征在于,一镀层覆盖于该纳米结构的表面,该镀层是纳米类金刚石碳膜或纳米晶金刚石膜。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |