| 发明名称 | 薄膜晶体管的结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管的结构。该薄膜晶体管的结构包括一栅极，设置于一基板上；一绝缘层，设置于该基板与该栅极上；一半导体层，设置于部分的该绝缘层上，并且部分该半导体层被定义为一沟道区；一欧姆接触层，设置于该半导体层上；以及一金属层，设置于该欧姆接触层上，并被区分为一源/漏极分别位于该沟道区的两侧，且部分该源/漏极的远离该沟道区的一侧具有至少一第一斜角的侧边。部分该源/漏极的一侧还包括至少一第二斜角的侧边，且该第二斜角的侧边相邻于该第一斜角的侧边，部分该半导体层的一侧具有一阶梯状的侧边。 | ||
| 申请公布号 | CN101567391A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200910133889.X | 申请日期 | 2006.01.24 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 石志鸿 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邱 军 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管的结构，包括：一栅极，设置于一基板上；一绝缘层，设置于该基板与该栅极上；一半导体层，设置于部分的该绝缘层上，并且部分该半导体层被定义为一沟道区；一欧姆接触层，设置于该半导体层上；以及一金属层，设置于该欧姆接触层上，并被区分为一源/漏极分别位于该沟道区的两侧，且部分该源/漏极的远离该沟道区的一侧具有至少一第一斜角的侧边，其中部分该源/漏极的一侧还包括至少一第二斜角的侧边，且该第二斜角的侧边相邻于该第一斜角的侧边，部分该半导体层的一侧具有一阶梯状的侧边。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||