| 发明名称 | 双极结型晶体管发射极的镇流电阻 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双极结型晶体管发射极的镇流电阻，属于晶体管制作领域。其结构中包括镇流电阻本体、与镇流电阻本体连接的输入引线和输出引线，输入引线和输出引线呈平面梳状排布，关键的改进是：输出引线呈等间距排布，输入引线呈疏密相间排布，形成电流的单向传输通路。本发明在不改变器件及镇流电阻基本结构的条件下，有效降低了功耗，同时避免大功率器件因“热奔”而烧毁。 | ||
| 申请公布号 | CN101567363A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200910074716.5 | 申请日期 | 2009.06.11 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 霍玉柱;潘宏菽;商庆杰 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 1、双极结型晶体管发射极的镇流电阻，结构中包括镇流电阻本体(2)、与镇流电阻本体(2)连接的输入引线(1)和输出引线(3)，输入引线(1)和输出引线(3)呈平面梳状排布，其特征在于：输出引线(3)等间距排布，输入引线(1)呈疏密相间排布，形成电流的单向传输通路。 | ||
| 地址 | 050051河北省石家庄市合作路113号十三所重点实验室 | ||