| 发明名称 | 混合集成电路装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种混合集成电路装置及其制造方法，可提高导电图案和电路衬底的连接位置的可靠性。本发明混合集成电路装置的制造方法包括：在由金属构成的衬底表面上设置绝缘层(17)的工序；在绝缘层(17)的表面上形成导电图案(18)，以构成多个单元(32)的工序；在各单元(32)的导电图案(18)上电连接电路元件(14)的工序；贯通各单元(32)的绝缘层(17)形成露出孔(9)，使电路衬底(16)自露出孔(9)的底部露出的工序；在各单元(32)的露出孔(9)的底部形成平坦部(9A)的工序；由金属细线电连接各单元的平坦部和导电图案的工序；分离各单元(32)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100555609C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200410102152.9 | 申请日期 | 2004.12.20 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 | 发明人 | 金久保优 |
| 分类号 | H01L23/14(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H05K1/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨 梧 |
| 主权项 | 1、一种混合集成电路装置，其特征在于，包括：由铝制成的电路衬底；覆盖所述电路衬底表面的绝缘层；在所述绝缘层的表面形成的导电图案；配置在所述导电图案的所希望的部位并电连接的电路元件；贯通所述绝缘层而设置并且形成为比所述绝缘层的厚度深，所述电路衬底从其底部露出的露出孔；使所述露出孔底面的中心部附近局部地平坦化而形成的平坦部；电连接所述平坦部和所述导电图案的金属细线；连接所述平坦部和所述导电图案的金属细线、与连接所述电路元件和所述导电图案的金属细线使用相同直径的由铝制成的细线。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||