| 发明名称 | 杂质导入方法和杂质导入装置 | ||
| 摘要 | 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN100555574C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200510092358.2 | 申请日期 | 2005.08.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 奥村智洋;金成国;佐佐木雄一朗;冈下胜己;前嶋聪;中山一郎;水野文二 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01)I;H01L21/223(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨 梧 |
| 主权项 | 1.一种杂质导入方法，其特征在于，包括：使用Xe灯向试料照射紫外线、在试料表面形成非晶质层的工序；一边供给含有杂质元素的气体、一边向等离子源供给高频功率并且产生等离子、通过向试料电极施加电压而向所述试料表面供给杂质离子的工序；加热所述试料的表面进行活性化的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||