| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。 | ||
| 申请公布号 | CN100555634C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200710167003.4 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 钟个江义晴;岩崎富生;守谷浩志 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 曲 瑞 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：包括多个具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，其中上述栅极绝缘膜是氮氧化硅，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态，栅电极的变形状态是拉伸变形状态，上述栅电极在形成包含碳元素的多晶硅膜后通过去除碳原子而成为拉伸变形状态。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||