发明名称 | 弹性边界波装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种用比较简单的结构就能有效抑制高阶模式假响应的弹性边界波装置。该弹性边界波装置(1)在压电体(2)与电介质(3)的边界上配置IDT电极(5),在压电体(2)的与所述边界相反侧的面上叠层低热膨胀率介质层(4),该低热膨胀率介质层(4)由线性热膨胀系数比压电体(2)小的材料形成,所述压电体(2)、电介质(3)以及低热膨胀率介质层(4)的弹性边界波传播方向的横波音速满足下述的表达式(1),且IDT电极(5)的波长设成λ时,电介质的横波的音速/λ满足下述的表达式(2)。电介质的横波的音速<压电体的SH波的音速<低热膨胀率介质层的横波的音速…表达式(1);弹性边界波的响应频率<电介质的横波的音速/λ<高阶模式的响应频率…表达式(2)。 | ||
申请公布号 | CN101569100A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
申请号 | CN200780048146.1 | 申请日期 | 2007.11.21 |
申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 神藤始 |
分类号 | H03H9/145(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/145(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
主权项 | 1.一种弹性边界波装置,具备:压电体;电介质,叠层在所述压电体上;IDT电极,配置在所述压电体与电介质的界面上;和低热膨胀率介质层,叠层在所述压电体的与所述界面相反侧的面上,由线性热膨胀系数比所述压电体小的材料形成,该弹性边界波装置利用在所述压电体与所述电介质的边界进行传播的SH型弹性边界波,所述压电体的SH波的音速满足下记的表达式(1),且将所述IDT电极的波长设成λ时,相对于所述SH型弹性边界波的响应频率以及高阶模式的响应频率,电介质的横波的音速/λ满足下记的表达式(2)的范围,电介质的横波的音速<压电体的SH波的音速<低热膨胀率介质层的横波的音速...表达式(1)弹性边界波的响应频率<电介质的横波的音速/λ<高阶模式的响应频率...表达式(2)。 | ||
地址 | 日本京都府 |