发明名称 |
功率半导体模块 |
摘要 |
在模块温度为175℃~250℃的高温的情况下,存在陶瓷配线衬底和设备的接合部或设备上部电极和电连接导体的接合部的温度循环或功率循环可靠性降低的问题。此外在压紧冷却构造体进行安装的构造中,如果为确保冷却性能而提高按压力,则存在设备因应力而损伤的问题。因而本发明目的在于提供即使功率半导体模块的使用温度在175℃~250℃的高温的情况下,设备或接合部不发生机械性损伤,且高温保持可靠性和温度循环可靠性优良的功率半导体模块及变换器装置。在设备的上下配置低热膨胀的陶瓷衬底,且在陶瓷衬底间配置热膨胀率为10ppm/K以下的部件。进而,在设备的周围配置热膨胀率为2~8ppm/K的无机部件。 |
申请公布号 |
CN100555627C |
申请公布日期 |
2009.10.28 |
申请号 |
CN200710104919.5 |
申请日期 |
2007.05.17 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
梶原良一;铃木和弘;石井利昭;伊藤和利 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李贵亮 |
主权项 |
1.一种功率半导体模块,其特征在于,具有:功率半导体设备,其具有在电路面上形成的主电极和控制电极,以及在电路面的相反侧的面上形成的里面电极;陶瓷配线衬底,其在陶瓷衬底的两面形成金属图案,该金属图案与所述功率半导体设备的里面电极接合;引线部件,其在陶瓷衬底的两面形成金属图案,该金属图案与所述功率半导体设备的主电极及控制电极接合;以及热膨胀率在10ppm/K以下的模塑树脂,其密封所述陶瓷配线衬底、功率半导体设备及引线部件,以使所述陶瓷配线衬底的未与功率半导体设备接合一侧的金属图案及所述引线部件的未与功率半导体设备接合一侧的金属图案露出于外部。 |
地址 |
日本东京都 |