发明名称 伞形栅极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
摘要 本发明特别涉及到带有伞形栅极阵列结构的平板显示器及其制作工艺,带有伞形栅极阵列结构的平板显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极面板上有光刻的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;支撑墙结构以及消气剂附属元件,在阴极面板上制作有伞形栅极阵列结构,在充分利用直接生长法制备的碳纳米管阴极所具有的良好场致发射特性的基础上,进一步加强了对碳纳米管阴极电子发射的控制;降低了器件的工作电压,提高了碳纳米管阴极的电子发射效率,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。
申请公布号 CN100555528C 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200510107343.9 申请日期 2005.12.28
申请人 中原工学院 发明人 李玉魁
分类号 H01J29/02(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I 主分类号 H01J29/02(2006.01)I
代理机构 郑州科维专利代理有限公司 代理人 刘卫东
主权项 1、一种带有伞形栅极阵列结构的平板显示器,包括由阴极面板[1]、阳极面板[11]和四周玻璃围框[8]所构成的密封真空腔;在阳极面板[11]上有光刻的阳极导电层[12]以及制备在阳极导电层[12]上面的荧光粉层[14];支撑墙结构[9]以及消气剂附属元件[10],其特征在于:在阴极面板[1]上制作有伞形栅极阵列结构;所述的伞形栅极结构包括设置在阴极面板[1]上的栅极导电层[2]、设置在栅极导电层[2]上面的掺杂多晶硅层[3],其中掺杂多晶硅层[3]的形状为一个伞形结构,刻蚀后的绝缘隔离层[4]覆盖住全部掺杂多晶硅层[3],绝缘隔离层[4]将栅极导电层[2]和阴极导电层[5]相互隔离开来,阴极导电层[5]存在于相邻伞形掺杂多晶硅层[3]中间的位置,并存在于和阴极面板相平行的平面上,阴极导电层[5]的上面存在催化剂金属层[6],在催化剂金属层[6]上制备有碳纳米管阴极[7]。
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