| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中在制造该半导体器件的步骤中，在形成铁电电容结构时，在电容膜上顺序形成作为上电极层的成分的IrO<sub>2</sub>膜和IrO<sub>x</sub>膜。在O<sub>2</sub>气氛下，通过在600℃到750℃(在此情况下为725℃)下进行RTA处理约1分钟，仅氧化IrO<sub>x</sub>膜的表面层，并形成与IrO<sub>x</sub>膜的其它部分相比氧化度更高的高度氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN100555637C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200610151769.9 | 申请日期 | 2006.09.07 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 松浦修武 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；和电容结构，其形成在所述半导体衬底上，并通过将由介电材料构成的电容膜夹在下电极和上电极之间而形成，其中，所述上电极具有：第一氧化铱膜，以及第二氧化铱膜，其形成在所述第一氧化铱膜上，与所述第一氧化铱膜彼此接触，其中，所述第二氧化铱膜的表面层与所述第二氧化铱膜的其它部分相比氧化度更高。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||