| 发明名称 | 一种照明用氮化镓基发光二极管器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种照明用氮化镓基发光二极管器件，该二极管器件包括：p型衬底(3)；在p型衬底(3)上依次外延生长的p型GaN基化合物(5)和n型InGaN有源层(6)；在n型InGaN有源层(6)上制备的n型透明电极(12)；和在p型衬底(3)的背面制备的p型电极(11)。利用本发明，使电子-空穴复合发光区与整个耗尽层基本重合，可提高二极管的发光效率；另一方面，在低温下制备pn结，可有效地防止In组份的逃逸，大大提高pn结质量；通过pnp的叠形层生长，可成倍提高器件功率。 | ||
| 申请公布号 | CN100555684C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200610089075.7 | 申请日期 | 2006.08.02 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 韩培德 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件包括：p型衬底(3)；在p型衬底(3)上依次外延生长的p型GaN基化合物(5)和n型InGaN有源层(6)；在n型InGaN有源层(6)上制备的n型透明电极(12)；和在p型衬底(3)的背面制备的p型电极(11)；其中，该二极管器件在所述n型InGaN有源层(6)上进一步包括p型GaN基化合物(5)，该p型GaN基化合物(5)在p型衬底(3)上按照p型GaN基化合物(5)、n型InGaN有源层(6)和p型GaN基化合物(5)的顺序依次外延生长而成，并采用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法，将最外层的p型GaN基化合物(5)局部去除，露出n型InGaN有源层(6)，在露出的n型InGaN有源层(6)上制备n型电极(8)，在剩余未刻蚀的最外层p型GaN基化合物(5)上制备p型透明电极(9)。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||