| 发明名称 | 用于控制半导体结构中沟槽轮廓的技术 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体结构的方法包括以下步骤。利用掩模层在半导体区内形成沟槽，使得这些沟槽具有第一深度、沿其底部的第一宽度、和具有第一斜度的侧壁。去除掩模层，以及执行斜面蚀刻使沟槽的侧壁成锥形，使得所述侧壁具有小于所述第一斜度的第二斜度。 | ||
| 申请公布号 | CN101567314A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200910137224.6 | 申请日期 | 2009.04.24 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 陈晖;王琦;布赖恩特·哈沃德;潘南西 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤：利用掩模层在半导体区内形成沟槽，所述沟槽具有第一深度、沿其底部的第一宽度、和具有第一斜度的侧壁；去除所述掩模层；以及执行斜面蚀刻使所述沟槽的侧壁成锥形，使得所述侧壁具有小于所述第一斜度的第二斜度。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||