发明名称 微波毫米波宽频带低损耗数字模拟兼容移相器
摘要 本发明公开了一种微波毫米波宽频带低损耗数字模拟兼容移相器。它由一个单元电路或者相同的两个单元电路串联或者相同的三个单元电路串联构成,该单元电路为反射型数字模拟兼容的移相电路,并构成具有0~360度的相位变化;所述的单元电路由微波毫米波宽带数字/模拟移相器电路和数字/模拟控制转换电路连接组成。本发明的电路拓扑和设计过程简单,制造工艺简便,成品率高,芯片面积小,工作频带宽,插入损耗低,相移精度高,相移步进细,输入和输出电压驻波比低,各移相态插入损耗差值小。
申请公布号 CN100555860C 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200610098044.8 申请日期 2006.11.29
申请人 南京理工大学 发明人 戴永胜;方大纲;姚蕴;祁高品;张海坤;钱桂香;陶正炼;汪晖
分类号 H03H11/16(2006.01)I;H03H17/08(2006.01)I;H01P1/18(2006.01)I 主分类号 H03H11/16(2006.01)I
代理机构 南京理工大学专利中心 代理人 朱显国
主权项 1、一种微波毫米波宽频带低损耗数字模拟兼容移相器,其特征在于:它由一个单元电路构成,该单元电路为反射型数字模拟兼容的移相电路,并构成具有0~360度的相位变化;所述的单元电路由微波毫米波宽带数字/模拟移相器电路和数字/模拟控制转换电路连接组成,该微波毫米波宽带数字/模拟移相器电路包括信号输入端、信号输出端和控制信号输入端P,该信号输入端和信号输出端分别构成单元电路的信号输入端和信号输出端;所述的数字/模拟控制转换电路由控制信号输入端Vc0、Vc1、Vc2、......、Vcn、分压电阻r0、r1、r3、......、r(2n-1)、控制场效应晶体管f1、f2、......fn和偏置电阻r2、r4......、r(2n)构成,其中第0分压电阻r0和第一分压电阻r1的公共连接点P构成数字/模拟控制转换电路的控制信号输出端,所述的分压电阻r1、r3、……、r(2n-1)分别连接在控制场效应晶体管f1、f2、……、fn的源极和漏极之间后再与第0分压电阻r0串联构成电调可控的分压网络,该数字/模拟控制转换电路的控制信号输出端与所述的微波毫米波宽带数字/模拟移相器电路的控制信号输入端连接;所述单元电路的微波毫米波宽带数字/模拟移相器电路中,信号输入端连接第二微带线M2的一端,该第二微带线M2的另一端连接耦合器L1的一端,该耦合器L1的隔离端连接第一微带线M1的一端,第一微带线M1的另一端连接信号输出端,该信号输出端连接另一个单元电路的输入端;所述的耦合器L1的直通端连接第三微带线M3的一端,该第三微带线M3的另一端分别连接第一电阻R1的一端和第一场效应管F1的漏极,该第一电阻R1的另一端接第一电容C1的一端,该第一电容C1的另一端接地,所述的第一场效应管F1的源极分别连接第二电阻R2的一端和第二电容C2的一端,该第二电阻R2的另一端和第二电容C2的另一端接地,该第一场效应管F1的栅极连接第三电阻R3的一端,该第三电阻R3的另一端连接第五电阻R5的一端,该第五电阻R5的另一端连接第二场效应管F2的栅极,该第二场效应管F2的源极分别连接第六电阻R6的一端和第四电容C4的一端,该第六电阻R6的另一端和第四电容C4的另一端接地,所述的第二场效应管F2的漏极分别连接第四微带线M4的一端和第四电阻R4的一端,该第四电阻R4的另一端连接第三电容C3的一端,该第三电容C3的另一端接地,所述的第四微带线M4的另一端连接耦合器L1的耦合端,所述的第三电阻R3和第五电阻R5的公共连接点P构成微波毫米波宽带数字/模拟移相器电路的控制信号输入端;该控制信号输入端连接数字/模拟控制转换电路中的控制信号输出端,控制信号输入端公共连接点P接第0分压电阻r0的一端,该第0分压电阻r0的一端还与第一场效应晶体管f1的漏极和第一分压电阻r1一端相接,第0分压电阻r0的另一端连接第c0控制信号端Vc0,该第一场效应晶体管f1的栅极连接第二偏置电阻r2的一端,该第二偏置电阻r2的另一端连接第c1控制信号输入端Vc1,所述的第一场效应晶体管f1的源极和第一分压电阻r1的另一端连接第二场效应晶体管f2的漏极和第三分压电阻r3的一端,该第二场效应晶体管f2的栅极连接第四偏置电阻r4的一端,该第四偏置电阻r4的另一端连接第c2控制信号输入端Vc2,该第二场效应晶体管f2的源极和第三分压电阻r3的另一端连接下一级场效应晶体管的漏极和对应的分压电阻的一端,依次类推,第n个场效应晶体管fn的漏极和第2n-1分压电阻r(2n-1)的一端连接上一级场效应晶体管的源极和相应的分压电阻的对应端,该第n个场效应晶体管fn的栅极连接第2n偏置电阻r2n的一端,该第2n偏置电阻r2n的另一端连接第cn控制信号输入端Vcn,该第n个场效应晶体管fn的源极和第2n-1分压电阻r(2n-1)的另一端接地。
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