| 发明名称 | 氮化物半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有导电性氧化物膜的高可靠性氮化物半导体元件。是一种具有氮化物半导体层的氮化物半导体元件，其中在氮化物半导体层上依次具有导电性氧化物膜、焊盘电极，而且，焊盘电极具有相接于导电性氧化物膜的包括第一金属的接合层和包括第二金属的焊盘层。 | ||
| 申请公布号 | CN100555683C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200610082714.7 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 楠濑健;粟饭原善之;三贺大辅;出口宏一郎 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘 建 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体元件，其具有氮化物半导体层，其特征在于：在上述氮化物半导体层上，依次具有导电性氧化物膜、焊盘电极；上述焊盘电极，具有上述氮化物半导体侧的整面相接于上述导电性氧化物膜的包括第一金属的接合层和包括与上述第一金属不同的第二金属的焊盘层；上述接合层，具有相接于上述导电性氧化物膜并由第一金属而构成的第一金属膜；上述第一金属膜的膜厚，小于上述导电性氧化物膜表面平均粗糙度Ra的值。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||