| 发明名称 | 半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够形成具有良好绝缘性能的氮化硅膜作为MTJ元件的保护膜而没有使MTJ元件的性能恶化的半导体器件制备方法。本发明的方法包括以下步骤：在使用平行板等离子体CVD装置作为膜形成装置以及不含NH<sub>3</sub>而是由SiH<sub>4</sub>/N<sub>2</sub>/氦(He)组成的膜形成气体之时在包括MTJ元件部分(MTJ元件和上电极)的整个表面上方形成氮化硅膜。将膜形成温度设置为从200到350℃。更理想地，将He与SiH<sub>4</sub>的流速比设置为从100到125。 | ||
| 申请公布号 | CN101567419A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200910135057.1 | 申请日期 | 2009.04.22 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 村田龙纪;辻内干夫;松田亮史 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华;郑 菊 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件制备方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底上方形成用于下电极的第一传导层；(b)有选择地形成包括通过在所述下电极的一部分上方依所提及的次序堆叠第一磁膜、绝缘膜和第二磁膜而获得的多层结构的MTJ元件部分；并且(c)形成氮化硅膜同时用所述氮化硅膜至少覆盖所述MTJ元件部分的表面和侧表面，其中所述步骤(c)还包括以下步骤：在膜形成气体包含氢气或者氦气而不含氨气的条件之下通过CVD方法来形成所述氮化硅膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||