| 发明名称 | 等离子体成膜装置的清洁方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及等离子体成膜装置的清洁方法。本发明的等离子体成膜装置的清洁方法中，使用含有氢氟烃气体、氧气和离解性气体且离解性气体的比例为氢氟烃气体与氧气总量的5vol％～10vol％的混合气体作为清洁用气体，进行等离子体处理。作为氢氟烃气体，优选为五氟乙烷气体，作为离解性气体，优选为选自由CF<sub>4</sub>、C<sub>2</sub>F<sub>6</sub>、C<sub>3</sub>F<sub>8</sub>、c-C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>、NF<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>O构成的组中的一种以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101567310A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200910133773.6 | 申请日期 | 2009.04.13 |
| 申请人 | 大阳日酸株式会社 | 发明人 | 伊崎隆一郎 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐江华;王珍仙 |
| 主权项 | 1、一种等离子体成膜装置的清洁方法，该方法为除去堆积在等离子体CVD成膜装置的腔和排气管道内的堆积物的方法，其中，使用含有氢氟烃气体、氧气和离解性气体且离解性气体的比例为氢氟烃气体与氧气总量的5vol％～10vol％的混合气体作为清洁用气体，进行等离子体处理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||