| 发明名称 | 淀积金属的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种淀积金属的方法，包括以下步骤：提供一硅衬底；在所述硅衬底上依次淀积第一粘附层、第一阻挡层及金属层；使所述硅衬底离开真空的制程环境，在所述金属层上形成一层氧化层；在所述金属层上依次淀积第二粘附层和第二阻挡层；对所述硅衬底进行清洗。本发明提供的在芯片上淀积金属的方法是在没有增加工序和制造成本的前提下，利用转换制程机台的过程，使芯片离开真空的制程环境，进行降温，在金属铝(Al)层上形成一层氧化层，来避免TiAl<sub>3</sub>的形成或者大大降低TiAl<sub>3</sub>的形成量，使Al金属层电流密度分布更趋平均，从而改善芯片的电子迁移的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101567316A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200910052538.6 | 申请日期 | 2009.06.04 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 潘骏翊;李全宝;周磊 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1.一种淀积金属的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅衬底；在所述硅衬底上依次淀积第一粘附层、第一阻挡层及金属层；使所述硅衬底离开真空的制程环境，在所述金属层上形成一层氧化层；在所述金属层上依次淀积第二粘附层和第二阻挡层；对所述硅衬底进行清洗。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||