发明名称 |
半导体器件、使用该器件的电路和显示设备及其驱动方法 |
摘要 |
通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障,提供了一种电特性优异的器件。此外,改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中,使用MOS晶体管的电特性,输出除第一电路以外的其他电路所需的信号,以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中,在MOS晶体管的栅极和源极之间,施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。 |
申请公布号 |
CN100555375C |
申请公布日期 |
2009.10.28 |
申请号 |
CN200510104135.3 |
申请日期 |
2005.09.19 |
申请人 |
日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社 |
发明人 |
芳贺浩史;音濑智彦;浅田秀树;野中义弘;是成贵弘;高取宪一 |
分类号 |
G09G3/20(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:由MOS晶体管组成的电路,所述MOS晶体管包括设置在绝缘层上的、具有边界的半导体层作为沟道,所述电路用于在第一时间段中,输出所需信号;以及阶梯波形电压施加部分,用于在第二时间段中,在所述电路中的预定MOS晶体管的栅极和源极之间、施加不小于所述MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压预定次数。 |
地址 |
日本东京都 |