发明名称 半导体器件、使用该器件的电路和显示设备及其驱动方法
摘要 通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障,提供了一种电特性优异的器件。此外,改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中,使用MOS晶体管的电特性,输出除第一电路以外的其他电路所需的信号,以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中,在MOS晶体管的栅极和源极之间,施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
申请公布号 CN100555375C 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200510104135.3 申请日期 2005.09.19
申请人 日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社 发明人 芳贺浩史;音濑智彦;浅田秀树;野中义弘;是成贵弘;高取宪一
分类号 G09G3/20(2006.01)I 主分类号 G09G3/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱进桂
主权项 1.一种半导体器件,包括:由MOS晶体管组成的电路,所述MOS晶体管包括设置在绝缘层上的、具有边界的半导体层作为沟道,所述电路用于在第一时间段中,输出所需信号;以及阶梯波形电压施加部分,用于在第二时间段中,在所述电路中的预定MOS晶体管的栅极和源极之间、施加不小于所述MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压预定次数。
地址 日本东京都