用以对一闪速存储元件实施逐位擦除的装置与方法

摘要

一种与非门存储元件利用绝缘层上覆硅技术所制造。具体地，可使用薄膜晶体管技术以制造此与非门闪速存储元件。在绝缘层上覆硅以及薄膜晶体管结构中，此存储器的本体(或阱)是被隔离的。此结构可用以允许对个别存储单元进行逐位编程及擦除动作，并可严格控制临界电压，进而允许多级存储单元操作。

主权项

1.一种对一闪速存储元件用以逐个存储单元擦除多个存储单元中的目标存储单元的方法，该多个存储单元包含于存储阵列中，每一存储单元包括源极、漏极、栅极、电荷陷获结构、以及位于该源极与漏极之间的沟道区域，多条位线耦接至该多个存储单元的该源极与漏极区域，且多条字线耦接至该多个存储单元的栅极，包括：施加第一电压至与该目标存储单元相关的该字线；施加第二电压至其他该多条字线；施加第三电压至与该目标存储单元相关的该位线；以及施加第四电压至其他该多条位线，其中该第一电压和该第三电压使该目标存储单元被擦除，而该第二电压和该第四电压用以抑制其他存储单元被擦除，其中该多个存储单元包括绝缘层上覆硅晶体管。