一种半导体芯片的减薄方法

摘要

本发明涉及一种半导体芯片的减薄方法，具体地说是半导体芯片等器件厚度的减薄工艺，属于集成电路制造技术领域。特征是将半导体器件有图形的面朝下行列拼排；需减薄正面粘附在保护膜上，形成一个正方形或长方形；在正方形或长方形外围放置面积、厚度与半导体器件面积、厚度相当的片状物，再围成一个正方形或长方形，使减薄时中间半导体器件受力均匀；再设置减薄厚度，采用磨削法开始减薄；减薄结束后，已减薄芯片后处理；最后交出满足工艺要求芯片。本发明不需改变现有的减薄设备、工装夹具等；减薄后芯片厚度一致与圆片减薄厚度一致性相当，成品率高；芯片级尺寸减薄后芯片边缘无缺损、无裂纹。

主权项

1、一种半导体芯片的减薄方法，其特征是采用以下工艺步骤：(1)、将芯片有图形的面朝下行列拼排；(2)、芯片需减薄正面粘附在保护膜，形成一个正方形或长方形；(3)、在正方形或长方形外围放置面积、厚度与芯片面积、厚度相当的片状物，再围成一个正方形或长方形，使减薄时中间芯片受力均匀；(4)、设置减薄厚度，采用磨削法开始减薄；通过金刚砂轮和吸附芯片的陶瓷吸盘以相反方向旋转，借助于金刚砂轮将芯片磨削变薄为所需厚度，并由纯水带走磨削下来的硅渣；金刚砂轮转速为700～1200转/分钟，并以20～300μm/分钟速度下降，陶瓷吸盘旋转速度为15～25转/分钟，纯水流量为10L～15L/分钟；(5)、减薄结束，用无尘纤维纸擦拭减薄芯片，直至无尘纤维纸上无明显硅屑，然后将已减薄芯片从保护膜上取下；再将减薄芯片正面朝上，距离微型热风机口下方20～30cm，吹10～15分钟；吹干温度为60-100℃；直至芯片表面水迹完全吹干。