| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中即使微透镜的轮廓发生变化，图像传感器的特性也不会受到影响，以获得更加可靠的器件。本发明的CMOS图像传感器包括：滤色器层，形成在半导体衬底之上；平坦化层，形成在滤色器层上；以及微透镜，用与平坦化层的材料相同的材料形成在平坦化层上，微透镜被定位为分别对应于滤色器层。 | ||
| 申请公布号 | CN100555645C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200510135991.5 | 申请日期 | 2005.12.29 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 任劤爀 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：滤色器层，形成在半导体衬底之上；平坦化层，形成在所述滤色器层上；微透镜，形成在所述平坦化层上，其中，所述微透镜用与所述平坦化层的材料相同的材料形成，并且被定位为对应于所述滤色器层；以及多个V形凹槽，所述多个V形凹槽通过选择性蚀刻所述平坦化层在所述微透镜之间的部分而在所述平坦化层上形成。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||