三重扩散法制备绝缘栅双极晶体管用N-/P-/P+衬底方法

摘要

本发明公开了一种采用三重扩散法制备绝缘栅双极晶体管用N-/P-/P+衬底方法。包括如下步骤：1)在硅单晶片整个面上预扩散P+/P-半导体杂质；2)在1260～1300℃温度下，进行100～250小时硅内预扩散P+/P-杂质的推结；3)研磨去除一表面的P+/P-扩散层，并抛光N-面为镜面；4)在N-/P-/P+硅基片上制成绝缘栅双极晶体管。本发明基于外延片与扩散片价格上的差异，通过采用三重扩散工艺方法来制作耐压在600-1200V之间的绝缘栅双极晶体管(IGBT)衬底片，具有良好的经济效益。

主权项

1、一种三重扩散法制备绝缘栅双极晶体管用N-/P-/P+衬底硅片的方法，其特征在于包括如下步骤：1)在硅单晶片整个面上预扩散P+/P-半导体杂质；2)在1260～1300℃温度下，进行100～250小时硅内预扩散P+/P-杂质的推结；3)研磨去除一表面上的P+/P-扩散层，并抛光N-面为镜面；4)在N-/P-/P+硅片上制成绝缘栅双极晶体管。