发明名称 |
闪存器件及其读操作方法 |
摘要 |
一种闪存器件及其读操作方法,该闪存器件具有选择性地改变用于感测节点的预充电电压的功能。该闪存器件包括:存储器单元阵列、预充电电压发生器以及多个页缓冲器。存储器单元阵列包括共享多个字线和多个位线的多个存储器单元。预充电电压发生器响应于选择控制信号将第一和第二电压之一作为预充电电压输出。多个页缓冲器一个接一个地连接至多个字线的每一对,并且响应于预充电控制信号将感测线预充电至预充电电压。 |
申请公布号 |
CN100555458C |
申请公布日期 |
2009.10.28 |
申请号 |
CN200610099342.9 |
申请日期 |
2006.07.17 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
朴成济 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
杨生平;杨红梅 |
主权项 |
1.一种闪存器件,包括:存储器单元阵列,包括共享多个字线和多个位线的多个存储器单元;预充电电压发生器,包括用于产生第一电压的第一电压发生器和用于产生第二电压的第二电压发生器,用于响应于选择控制信号将所述第一和第二电压之一作为预充电电压输出;以及多个页缓冲器,每一页缓冲器被连接至多个位线的一对,用于响应于预充电控制信号将感测线预充电至所述预充电电压,其中,在闪存器件的验证读操作或者正常读操作期间,多个页缓冲器的每一个通过至少一对位线来感测从所述多个存储器单元之一传递至所述感测线之一的读数据。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |