发明名称 |
μ型振板型纳米级/微米级机械装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种μ型振板型纳米级/微米级机械装置及其制造方法。该μ型振板纳米级/微米级机械装置具有下电极(1、1a、1b)、上电极层(2)、设置在下电极(1、1a、1b)与上层(2)之间的介电层(3),从而该介电层(3)和所述上电极层(2)形成分层主体(4),该分层主体(4)包括位于介电层(3)的一侧面部分中的水平凹部(5),和在形成间隙(5a)的凹部(5)上方的厚度减小的悬突部(6);从而悬突部(6)形成在间隙(5a)上方延伸的μ型振板(6a)。该装置是容性装置,其中,不必将其与一集成电路单片集成就可以在室温下测量机械运动,而该装置可以与互补金属氧化物半导体电路容易地集成。 |
申请公布号 |
CN100555852C |
申请公布日期 |
2009.10.28 |
申请号 |
CN200580018234.8 |
申请日期 |
2005.04.06 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
圣扎迦利·詹姆士·戴维斯 |
分类号 |
H03H9/00(2006.01)I;H03H3/007(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李 辉 |
主权项 |
1、一种μ型振板型纳米级/微米级机械装置,该μ型振板型纳米级/微米级机械装置包括:由第一导电材料制成的下电极(1),由第二导电材料制成的上电极层(2),该上电极层(2)具有上层厚度(ut),由介电材料制成的介电层(3),该介电层(3)具有介电层厚度(ot),设置在所述上电极层(2)之下并与所述上电极层(2)接触,所述介电层(3)和所述上电极层(2)形成分层主体(4),该分层主体(4)具有主体宽度(bw)、主体长度(b1)以及主体厚度(bt),其中,所述分层主体(4)包括:位于所述介电层(3)的侧面部分中的水平凹部(5),和所述上电极层(3)的位于所述水平凹部(5)上方的悬突部(6),所述下电极(1)的至少一部分位于所述悬突部的至少一横向部分下方,使得所述水平凹部(5)在所述悬突部(6)与所述下电极(1)的所述部分之间形成一间隙(5a),所述间隙(5a)具有间隙厚度(gt);在所述间隙(5a)上方,所述悬突部(6)的所述横向部分形成谐振μ型振板(6a),该谐振μ型振板(6a)具有μ型振板宽度(fw)、μ型振板厚度(ft)以及μ型振板长度(fl),其中,所述μ型振板宽度(fw)为0.1μm到1000μm,所述μ型振板厚度(ft)为0.01μm到100μm,所述μ型振板长度(fl)为0.01μm到100μm。 |
地址 |
日本东京 |