| 发明名称 | 具有增大尺寸的浮起体的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有增大尺寸的浮起体的半导体器件及其制造方法。本发明提供能够改善击穿(Punch-through)现象及能够增加晶体管本体体积的半导体器件及其制造方法。本发明实施例的半导体器件，带有堆叠结构的绝缘体上硅(SOI)基板，该堆叠结构包括硅基板、埋入氧化层及硅层，并且该硅层提供有鳍状图案，在沟道宽度方向上形成在该硅层的栅极形成区域中。鳍状图案的下端部宽度大于该鳍状图案的上端部宽度。栅极形成为覆盖该鳍状图案，并且接合区域形成在该栅极两侧的硅层中。 | ||
| 申请公布号 | CN101567374A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200910126666.0 | 申请日期 | 2009.03.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 吴泰京 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李昕巍 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，带有堆叠结构的绝缘体上硅(SOI)基板，该堆叠结构包括硅基板、埋入氧化层及硅层，并且该硅层具有栅极形成区域，该半导体器件包括：鳍状图案，形成在该硅层中的该栅极形成区域，并且延伸在沟道宽度方向上，其中该鳍状图案延伸在该沟道宽度方向上的下端部宽度大于该鳍状图案延伸在该沟道宽度方向上的上端部的宽度；栅极，覆盖该鳍状图案；以及接合区域，形成在该栅极两侧的该硅层中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||