| 发明名称 | 加工静电放电阻抗隧道式磁阻性读传感器的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种加工隧道式磁阻性(TMR)读传感器的方法。在晶片衬底之上淀积绝缘层，在所述绝缘层之上淀积底部导线。在所述底部导线之上淀积具有多个叠层的分层TMR层。在所述TMR层中定义具有磁条高度的TMR传感器，还在所述TMR层中定义并联电阻器以及第一和第二分流电阻器。在所述TMR传感器之上淀积顶部导线。所述并联电阻器被电连接到所述底部导线和所述顶部导线上。所述第一分流电阻器被电连接到所述底部导线和所述晶片衬底上，所述第二分流电阻器被电连接到所述顶部导线和所述晶片衬底上。 | ||
| 申请公布号 | CN101567334A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200810092369.4 | 申请日期 | 2008.04.24 |
| 申请人 | 西部数字(弗里蒙特)公司 | 发明人 | C·尚;Y-F·李;Y·胡;Y·申 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种加工隧道式磁阻性TMR读传感器的方法，其包括以下步骤：在晶片衬底之上淀积绝缘层；在所述绝缘层之上淀积底部导线；在所述底部导线之上淀积分层TMR层，所述分层TMR层包含多个叠层；在所述TMR层中定义具有磁条高度的TMR传感器；在所述TMR层中定义并联电阻器；在所述TMR层中定义第一和第二分流电阻器；在所述TMR传感器之上淀积顶部导线；电连接所述并联电阻器到所述底部导线和所述顶部导线；电连接所述第一分流电阻器到所述底部导线和所述晶片衬底；电连接所述第二分流电阻器到所述顶部导线和所述晶片衬底。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||