| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管，以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明的一个特征是发光器件包括衬底，设置在衬底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的晶体管，以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层，其中发光元件设置在第一开口部分内。 | ||
| 申请公布号 | CN100555704C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200510006889.5 | 申请日期 | 2005.01.26 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 川上贵洋;土屋薰;西毅;平形吉晴;贵田启子;佐藤步;山嵜舜平 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李 玲 |
| 主权项 | 1.一种发光器件，包括：衬底；设置在衬底上的第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的晶体管；具有第一开口部分以及覆盖所述晶体管的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上，并且在所述第一开口部分中和所述第一绝缘层重叠的第一电极；具有第二开口部分以及覆盖所述第二绝缘层的堤坝层；设置成在所述第二开口部分中和所述第一电极重叠的发光层；设置成在所述第二开口部分中和所述发光层重叠的第二电极；其中所述第一绝缘层能防止杂质扩散并具有小于所述第一电极并大于所述衬底的折射率。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||