| 发明名称 | 具有增强的共模抑制的薄膜声耦合变压器 | ||
| 摘要 | 薄膜声耦合变压器(FACT)(200)具有第一(106)和第二(108)去耦层叠体声谐振器(DSBAR)。每个DSBAR具有下部薄膜体声谐振器(FBAR)(110)、在下部FBAR顶部的上部FBAR(120)和在它们之间的声去耦器(130)。每个FBAR具有对置的平面电极(112，114)和在电极之间的压电元件(116)。第一电路(141)互连第一DSBAR和第二DSBAR的下部FBAR(110，150)。第二电路(142)互连第一DSBAR和第二DSBAR的上部FBAR(120，160)。在至少一个DSBAR中，声去耦器和与该声去耦器相邻的每个下部FBAR和上部FBAR的一个电极构成寄生电容(C<sub>p</sub>)。该FACT另外还具有与该寄生电容并联电连接的电感器(180)。该电感器提高FACT的共模抑制比。 | ||
| 申请公布号 | CN100555854C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200480030889.2 | 申请日期 | 2004.10.29 |
| 申请人 | 阿瓦戈科技无线IP（新加坡）股份有限公司 | 发明人 | J·D·拉森三世;S·L·艾利斯;N·萨克西克 |
| 分类号 | H03H9/58(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王 怡 |
| 主权项 | 1、一种薄膜声耦合变压器，包括：第一去耦层叠体声谐振器和第二去耦层叠体声谐振器，每个去耦层叠体声谐振器包括：下部薄膜体声谐振器和上部薄膜体声谐振器，该上部薄膜体声谐振器层叠在该下部薄膜体声谐振器的顶上，每个薄膜体声谐振器包括对置的平面电极和在该电极之间的压电元件，和在薄膜体声谐振器之间的声去耦器；互连该下部薄膜体声谐振器的第一电路；和互连该上部薄膜体声谐振器的第二电路；其中：在至少一个去耦层叠体声谐振器中，该声去耦器、与该声去耦器相邻的下部薄膜体声谐振器的一个电极以及与该声去耦器相邻的上部薄膜体声谐振器的一个电极构成寄生电容；和该薄膜声耦合变压器另外包括与该寄生电容并联电连接的电感器。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||