CMOS电路和半导体器件

摘要

本发明提供一种CMOS电路和半导体器件，在包括当使栅极和源极为相等电压时在漏极与源极之间实质上流过亚阈值电流的MOST(M)的输出级电路中，在非激活时，对该MOST(M)的栅极施加电压以使该MOST(M)的栅极和源极之间为逆偏压。即在MOST(M)为p沟道型时，对栅极施加比p型的源极高的电压，在MOST(M)为n沟道型时，对栅极施加比n型的源极低的电压。在激活时根据输入电压保持该逆偏压状态或控制为正偏压状态。从而能够实现即使阈值电压较小也能进行漏电流较小、以高速且较小的电压振幅进行工作的CMOS电路及半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件，是包括当使栅极和源极为相等电压时在漏极与源极之间实质上流过亚阈值电流的MOST且以大电压振幅和小电压振幅进行工作的电路，其特征在于：在非激活时，在该MOST的栅极上施加电压以使该MOST的栅极和源极之间为逆偏压，在激活时，根据输入电压保持该逆偏压状态或被控制为正偏压状态，在正偏压状态下，该MOST以小电压振幅进行工作。