发明名称 射束均匀度及角度分布测量系统
摘要 本发明可通过在整个离子射束(例如一条带射束的较宽部分)的各种位置处监视射束电流均匀度及入射角,以简化半导体装置制造。在一离子注入系统(例如单晶片式系统及/或多晶片式系统)中可以运用一个或多个均匀度检测器,该均匀度检测器包含多个元件。各元件包含:一孔洞,其可从一入射离子射束选择性地获得一小射束;以及一对传感器,其可测量射束电流,并作为离子射束的进入角度的函数。可通过多对传感器,至少部分地从所测得的射束电流来决定在特定元件处的入射角。因此,可依指示来调整离子射束产生以改善均匀度,并且能够以改良的均匀度以及在更紧密的处理程序的情况下执行离子注入。
申请公布号 CN100555551C 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200480018569.5 申请日期 2004.04.29
申请人 艾克塞利斯技术公司 发明人 V·班威尼斯特
分类号 H01J37/304(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I 主分类号 H01J37/304(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 肖春京;赵 辛
主权项 1.一种射束均匀度测量系统,包括:孔洞,可选择性地从离子射束获得小射束;以及均匀度检测器(200),包括提供射束电流测量值的至少一个传感器对,该传感器对包括:位于该孔洞下的第一射束电流传感器,用于获得该小射束的第一射束电流测量值;位于该孔洞下并邻近于该第一射束电流传感器的第二射束电流传感器,用于获得该小射束的第二射束电流测量值,其中该第一射束电流测量值及该第二射束电流测量值产生作为第一射束电流测量值和第二射束电流测量值的函数的关于该离子射束的入射角的信息。
地址 美国马萨诸塞州