| 发明名称 | 具有高度精确的边缘纵剖面的半导体晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，所述边缘纵剖面在所述半导体晶片的整个圆周上基本上是恒定的。本发明还涉及多个半导体晶片，其中从半导体晶片至半导体晶片的边缘纵剖面基本上是恒定的。此外，本发明还涉及制造此类半导体晶片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100555576C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200710136016.5 | 申请日期 | 2007.07.10 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | P·瓦格纳;H·格贝尔;A·胡贝尔;J·莫泽 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，其特征在于，所述边缘纵剖面在所述半导体晶片的整个圆周上的参数具有以下标准偏差：-所述半导体晶片的正面上的小面与钝边之间的过渡区域的过渡半径r1的标准偏差小于12μm，-所述半导体晶片的背面上的小面与钝边之间的过渡区域的过渡半径r2的标准偏差小于10μm，-所述半导体晶片的正面上的小面高度B1及背面上的小面高度B2的标准偏差均小于5μm，-所述半导体晶片的正面上的小面长度A1的标准偏差小于11μm，-所述半导体晶片的背面上的小面长度A2的标准偏差小于8μm，及-所述半导体晶片的正面上的小面夹角θ1及背面上的小面夹角θ2的标准偏差均小于0.5°。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||