对准标记及其形成方法、半导体的对准方法

摘要

本发明提供一种对准标记及其形成方法、以及半导体的对准方法。该对准标记配置于基底上。对准标记包括第一介电层和金属层。第一介电层配置于基底上，包括标记沟渠以及接触窗。金属层配置于标记沟渠与接触窗中，其中金属层的表面与第一介电层的表面齐平。由于金属层与第一介电层具有不同的反射率和折射率，因此对准光束以此作为侦测出对准标记的依据。

主权项

1.一种形成对准标记的方法，包括：提供基底；于该基底上形成具有标记沟渠以及接触窗的第一介电层；于该基底上形成金属层，该金属层填满该标记沟渠以及该接触窗；移除该标记沟渠以及该接触窗以外的该金属层，其中该标记沟渠内的该金属层的表面与该第一介电层的表面齐平，其中该金属层与该第一介电层具有不同的反射率与折射率以作为对准光束侦测出对准标记的依据。