| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一半导体装置，包括第一金属区域、过孔、第二金属区域、开口以及第三金属区域。第一金属区域传导源/漏极电流。过孔位于第一金属区域上，第二金属区域则通过过孔电性连接第一金属区域以传导源/漏极电流，其中每两第二金属区域之间存在一间距。开口位于第二金属区域上，第三金属区域则通过开口电性连接第二金属区域，其中第三金属区域的电阻值小于第二金属区域的电阻值以及第一金属区域的电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN101567359A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200810093815.3 | 申请日期 | 2008.04.25 |
| 申请人 | 原景科技股份有限公司 | 发明人 | 薛光博;吴国宏 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 红 |
| 主权项 | 1、一半导体装置，其特征在于，包含：一第一金属区域，以传导源/漏极电流；多个过孔，位于该第一金属区域上；多个第二金属区域，通过所述过孔电性连接该第一金属区域以传导源/漏极电流，其中所述第二金属区域之间存在一间距；多个开口，位于所述第二金属区域上；以及一第三金属区域，通过所述开口电性连接所述第二金属区域，其中该第三金属区域的电阻值小于该第二金属区域的电阻值以及该第一金属区域的电阻值。 | ||
| 地址 | 台湾省台南县新市乡丰华村8邻紫楝路26号 | ||