半导体激光装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括半导体层叠层体(12)，该半导体层叠层体(12)具有沿与谐振器端面交叉的方向延伸且呈脊形条状的脊形波导部(12a)。在半导体层叠层体(12)上形成有覆盖脊形波导部(12a)的两侧面中的至少一部分的介电体层(16)。在半导体层叠层体(12)上的脊形波导部(12a)的两侧，与脊形波导部(12a)及谐振器端面互相留有间隔地形成有吸光层(17)。

主权项

1.一种半导体激光装置，包括具有一对相向的谐振器端面的谐振器结构，其特征在于：所述半导体激光装置包括：半导体层叠层体，包括从衬底一侧依次层叠在该衬底上的n型半导体层、活性层及p型半导体层，并具有沿与所述谐振器端面交叉的方向延伸且呈脊形条状的脊形波导部，介电体层，以覆盖所述脊形波导部的两侧面中的至少一部分的方式形成在所述半导体层叠层体上，吸光层，与所述脊形波导部及所述谐振器端面互相留有间隔地形成在所述半导体层叠层体上的所述脊形波导部的两侧，以及p侧电极，形成在所述脊形波导部上。