发明名称 外延基底和半导体元件
摘要 在肖特基二极管11中,氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b,其载流子浓度大于1×10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米,但不大于1000微米。另外,氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×10<sup>14</sup>cm<sup>-3</sup>,但不大于1×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>。
申请公布号 CN100555659C 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200510099023.3 申请日期 2005.08.31
申请人 住友电气工业株式会社 发明人 木山诚;冈久拓司;樱田隆
分类号 H01L29/38(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L29/732(2006.01)I 主分类号 H01L29/38(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 程金山
主权项 1、一种外延基底,其包括:氮化镓独立式基底,该基底包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面,并且其载流子浓度大于1×1018cm-3;和放置在所述第一表面上的第一氮化镓外延膜;其中:所述第一氮化镓外延膜的厚度至少是5微米,但不大于1000微米;所述第一氮化镓外延膜的载流子浓度至少是1×1014cm-3,但不大于1×1017cm-3;并且所述氮化镓独立式基底的所述第一表面的位错密度不大于1×108cm-2。
地址 日本大阪府