发明名称 有机硅微孔沸石、合成方法及其应用
摘要 本发明涉及一种有机硅微孔沸石、合成方法及其应用,主要解决现有技术中合成的微孔沸石骨架结构中不含有机硅的问题。本发明通过采用包括以下摩尔关系的组成:(1/n)Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>∶SiO<sub>2</sub>∶(m/n)R,式中n=5~250,m=0.01~50,R为烷基或苯基中的至少一种;其Si<sup>29</sup>NMR固体核磁图谱在-80~+50ppm之间至少包含有一个Si<sup>29</sup>核磁共振谱峰;其X-射线衍射图谱在12.4±0.2,11.0±0.3,9.3±0.3,6.8±0.2,6.1±0.2,5.5±0.2,4.4±0.2,4.0±0.2和3.4±0.1埃处有d-间距最大值的技术方案较好地解决了上述问题。该微孔沸石可用作苯与丙烯的液相烷基化反应制异丙苯的催化剂。
申请公布号 CN100554156C 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200610029980.3 申请日期 2006.08.11
申请人 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院 发明人 高焕新;周斌;魏一伦
分类号 C01B39/02(2006.01)I;C01B39/46(2006.01)I;B01J29/04(2006.01)I;B01J20/18(2006.01)I 主分类号 C01B39/02(2006.01)I
代理机构 上海浦东良风专利代理有限责任公司 代理人 张惠明
主权项 1、一种有机硅微孔沸石,包括以下摩尔关系的组成:(1/n)Al2O3∶SiO2∶(m/n)R,式中n=5~250,m=0.01~50,R为烷基或苯基中的至少一种;所述沸石的Si29NMR固体核磁图谱在-80~+50ppm之间至少包含有一个Si29核磁共振谱峰;所述沸石的X-射线衍射图谱在12.4±0.2,11.0±0.3,9.3±0.3,6.8±0.2,6.1±0.2,5.5±0.2,4.4±0.2,4.0±0.2和3.4±0.1埃处有d-间距最大值。
地址 100029北京市朝阳区惠新东街甲6号