CMOS图像传感器

摘要

本发明提供一种CMOS图像传感器，包括指状转移晶体管的栅电极，以根据低亮度和高亮度控制浮置扩散区的饱和状态。该CMOS图像传感器包括第一光电二极管区和第二光电二极管区，用于响应光而产生电子；以及转移晶体管，其位于该第一光电二极管区和该第二光电二极管区之间，用于接收从该第一光电二极管区和/或该第二光电二极管区转移过来的电子。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，包括：第一光电二极管区和第二光电二极管区，用于响应光而产生电子；以及转移晶体管，其包括位于该第一光电二极管区和该第二光电二极管区之间的第一栅极电极和第二栅极电极，用于接收从该第一光电二极管区和该第二光电二极管区中的至少一个转移过来的产生的电子，其中该第一栅极电极和该第二栅极电极彼此电连接，以具有指状结构，其中，在该第一栅电极和该第二栅电极之间具有浮置扩散区，其中，当施加的光亮度低时，向该第一栅电极和该第二栅电极施加高电压以使该第一栅电极和该第二栅电极导通，而当施加的光亮度高时，向该第一栅电极和该第二栅电极施加低电压以使该第一栅电极导通并使该第二栅电极截止。