发明名称 АНОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ИСТОЧНИКА ИОНОВ
摘要 1. Анод высокочастотного источника ионов, отличающийся тем, что на рабочую поверхность анода, выполненного из алюминиевого сплава, электроплазмохимически встроен диэлектрический слой. ! 2. Анод по п.1, отличающийся тем, что поверхность диэлектрического слоя состоит из оксида алюминия. ! 3. Анод по п.1, отличающийся тем, что толщина диэлектрического слоя не менее 100 мкм.
申请公布号 RU88208(U1) 申请公布日期 2009.10.27
申请号 RU20090126978U 申请日期 2009.07.15
申请人 发明人
分类号 H01J19/32;H01J27/16 主分类号 H01J19/32
代理机构 代理人
主权项
地址