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Gezeigt wird ein Phasenverschiebungsmaskenrohling (11), bei dem das Auftreten eines Loading-Effekts verhindert werden kann. Der Phasenverschiebungsmaskenrohling (11) weist eine Silizium enthaltende Phasenverschiebungsschicht (5), eine lichtabschirmende Schicht (2), die aus einem Material besteht, das bezüglich eines Ätzprozesses für die Phasenverschiebungsschicht (5) beständig ist, und eine Ätzmaskenschicht (3) auf, die aus einem anorganischen Material hergestellt ist, das bezüglich eines Ätzprozesses für die lichtabschirmende Schicht (2) beständig ist, wobei diese Schichten in dieser Reihenfolge auf einem Substrat (1) ausgebildet sind, das für Belichtungslicht transparent ist. Vorausgesetzt, dass t1 die Dicke der Phasenverschiebungsschicht (5), v1 die Ätzrate der Phasenverschiebungsschicht (5) bei einem Trockenätzprozess mit einem Ätzmittel, in dem die Ätzmaskenschicht (3) und die lichtabschirmende Schicht (2) als Maske verwendet werden, t2 die Dicke der Ätzmaskenschicht (3) und v2 die Ätzrate der Ätzmaskenschicht (3) bei einem Trockenätzprozess mit dem Ätzmittel bezeichnen, ist die Beziehung (t1/v1) <= (t2/v2) erfüllt. |
