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Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Schaltsystem mit einem Halbleiterbauelement des Verarmungstyps, wie zum Beispiel ein Siliziumcarbidbauelement, das mit einem Halbleiterbauelement des Anreicherungstyps, wie zum Beispiel einem Silizium-Feldeffekttransistor, in Reihe geschaltet ist, so dass eine Steuerung dafür ausgelegt werden kann, die Leitfähigkeit der Reihenschaltung der beiden Schalter während eines transienten Betriebszustands zu sperren. Während des normalen Hochfrequenz-Schaltbetriebs gibt die Steuerung die Leitung des Anreicherungsbauelements dauernd frei, während sie die Leitung des Verarmungsbauelements in Abständen freigibt. Die Steuerung sperrt die Leitung des Anreicherungsbauelements während eines transienten Betriebszustands, wie zum Beispiel eines Herauffahrens oder während eines Fehlers, und stellt dadurch Schaltungsschutz während solcher Transienten bereit. aften des Verarmungsbauelements in einem Hochfrequenz-Schaltnetzwerk.
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