发明名称 |
Plasmaätzverfahren und computerlesbares Speicherungsmedium |
摘要 |
Ein Plasmaätzverfahren enthält ein Anordnen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode, um sich gegenüberzustehen; Herrichten eines Teils in duum-Evakuieren der Bearbeitungskammer; Liefern eines Ätzgases in einen Bearbeitungsraum zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode; Erzeugen eines Plasmas des Ätzgases in dem Bearbeitungsraum mittels Anlegen einer Hochfrequenzleistung an die erste Elektrode oder die zweite Elektrode; und Ätzen eines zu bearbeitenden Films auf einer Oberfläche des Substrats mittels Anwendung des Plasmas. Ferner wird eine Gleichspannung an das Teil während des Ätzprozesses angelegt, wobei das Teil entfernt von dem Substrat angeordnet wird und durch Reaktion mit einer Reaktionsmittelart in dem Plasma geätzt wird.
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申请公布号 |
DE102009001972(A1) |
申请公布日期 |
2009.10.22 |
申请号 |
DE200910001972 |
申请日期 |
2009.03.30 |
申请人 |
TOKYO ELECTRON LTD. |
发明人 |
HONDA, MASANOBU;NAKAYAMA, HIROYUKI;SATO, MANABU |
分类号 |
H01J37/32;H01L21/3065 |
主分类号 |
H01J37/32 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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