一种含有掺杂元素的太阳能级硅晶体的制备方法

摘要

本发明公开了一种含有掺杂元素的太阳能级硅晶体的制备方法，将含掺杂元素的硅熔液置入坩埚反应器内，采用定向凝固法或提拉法制备硅晶体，在硅晶体的制备过程中，将保护气体通入晶体生长炉内并流经硅熔液表面，所述的保护气体为：a)含氢原子的气体；或b)含氢原子的气体与惰性气体的混合物。本发明通过H对硅晶体内杂质及缺陷的钝化和吸杂等作用，使硅晶体的少子寿命明显提高，并提高了后续制造的电池片的光电转换效率。本发明还有以调节掺镓硅晶体的电阻率，使硅晶体的电阻率在晶体生长方向上更加均匀。本发明方法操作简单，易于工业化生产，并能明显提高产品的质量。

主权项

1、一种含有掺杂元素的太阳能级硅晶体的制备方法，将含掺杂元素的硅熔液置入坩埚反应器内，采用定向凝固法或提拉法制备硅晶体，所述的掺杂元素为硼、磷、镓中的一种或多种，其特征在于：在硅晶体的制备过程中，将保护气体通入晶体生长炉内并流经硅熔液表面，所述的保护气体为：a)含氢原子的气体；或b)含氢原子的气体与惰性气体的混合物。