半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：硅衬底；第一绝缘膜，形成于硅衬底上；第一导电塞，形成于第一绝缘膜的第一接触孔内部；具有平坦表面的底层导电膜，形成于第一导电塞上及其周围；结晶导电膜，形成于底层导电膜上；以及电容器，通过在该结晶导电膜上依次叠置下电极、由铁电材料制成的介电膜和上电极而形成。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；杂质扩散区，形成于该半导体衬底的表面层中；绝缘膜，形成于该半导体衬底上，并在该杂质扩散区上方具有孔；导电塞，形成于该孔中，并电连接至该杂质扩散区；底层导电膜，形成于该导电塞和该导电塞周围的绝缘膜上，并具有平坦表面；结晶导电膜，形成于该底层导电膜上；以及电容器，通过在该结晶导电膜上依次叠置下电极、电容器介电膜和上电极而形成，其中该电容器介电膜由铁电材料制成，其中在该导电塞周围的该绝缘膜的上表面中形成凹陷，并将该底层导电膜嵌入该凹陷，并且该导电塞的上表面高度低于该绝缘膜的上表面高度，该下电极的上表面形成为平坦的。