双层栅功率MOS结构实现方法

摘要

本发明公开了一种双层栅功率MOS结构实现方法，该方法包括如下步骤：(1)沟槽刻蚀，厚栅氧化层生长；(2)第一层多晶硅的淀积；(3)第一层多晶硅反刻；(4)第一层多晶硅光刻，刻蚀；(5)湿法剥离沟槽侧壁的厚栅氧化层；(6)高密度等离子体氧化膜淀积，后对其进行化学机械研磨；(7)高密度等离子体氧化膜光刻，然后湿法腐蚀没有被光刻胶覆盖的高密度等离子体氧化膜；(8)薄栅氧化层生长；(9)第二层多晶硅淀积；(10)第二层多晶硅反刻；(11)沟道体，源极形成；(12)接触孔、金属层和钝化层形成。采用本发明的方法制备的功率MOS器件避免了在两层多晶硅之间存在较薄氧化层的这种结构，提高了功率MOS器件的工作电压。

主权项

1、一种双层栅功率MOS结构实现方法，该方法包括如下步骤：(1)在衬底之上的外延层中进行沟槽刻蚀，并在所述沟槽侧壁进行厚栅氧化层的生长；(2)第一层多晶硅的淀积；(3)第一层多晶硅反刻，利用所述厚栅氧化层作为刻蚀的终止层，采用干法刻蚀工艺和多晶硅对氧化层选择比高的刻蚀条件，先主刻蚀第一层多晶硅至厚栅氧化层表面，而后用相同工艺条件过刻蚀所述的第一层多晶硅至沟槽内，以避免第一层多晶硅在厚栅氧化层上残留；(4)第一层多晶硅光刻，将需接地的第一层多晶硅用光刻胶覆盖，刻蚀没有被光刻胶覆盖的第一层多晶硅；(5)沟槽侧壁厚栅氧化层湿法剥离；(6)高密度等离子体氧化膜淀积，然后化学机械研磨高密度等离子体氧化膜；(7)用高密度等离子体光刻版光刻，然后湿法腐蚀没有被光刻胶覆盖的高密度等离子体氧化膜，所述高密度等离子体光刻板与第一层多晶硅光刻采用的光刻板相比，在X和Y方向上分别加一定大小的正偏差；(8)牺牲氧化层生长、剥离，薄栅氧化层生长；(9)第二层多晶硅淀积；(10)第二层多晶硅反刻，利用薄栅氧化层作为刻蚀的终止层，采用干法刻蚀工艺和多晶硅对氧化层选择比高的刻蚀条件，先将第二层多晶硅主刻蚀至薄栅氧化层表面，后用相同的工艺条件过刻蚀所述的第二层多晶硅至沟槽内，以避免其在薄栅氧化层上残留；(11)沟道体，源极形成；(12)接触孔、金属层和钝化层形成。