制造EEPROM器件的方法

摘要

一种制造EEPROM器件的方法，能减少单元面积。该方法包括在半导体衬底上形成掩模图案；在通过掩模图案暴露出来的半导体衬底的顶部上形成栅极氧化物层；形成与掩模图案的两侧壁都自对准的存取栅极；去除掩模图案；形成被附接到存取栅极的侧壁的第一电介质间隔件；形成适合覆盖存取栅极和第一电介质间隔件的绝缘层；形成两个分别与两个存取栅极的相对侧壁自对准的单元栅极，各第一电介质间隔件被插入到相应单元栅极和相应存取栅极之间，单元栅极在绝缘层的顶部上分开设置。

主权项

1.一种制造电可擦可编程只读存储器器件的方法，包括：在半导体衬底上形成掩模图案；在通过所述掩模图案暴露出来的半导体衬底的顶部上形成栅极氧化物层；在所述栅极氧化物层的顶部上形成与所述掩模图案的两侧壁都自对准的存取栅极；去除所述掩模图案；形成被附接到所述存取栅极的侧壁的第一电介质间隔件；形成适合覆盖所述存取栅极和第一电介质间隔件的绝缘层；形成两个单元栅极，其分别与两个所述存取栅极的相对侧壁自对准，各第一电介质间隔件被插入到相应的单元栅极和相应的存取栅极之间，所述单元栅极是在所述绝缘层的顶部上分开设置的，其中形成所述存取栅极包括：形成存取栅极层以覆盖所述掩模图案；在所述存取栅极层的顶部上形成第二间隔件层；以及回蚀所述第二间隔件层和所述存取栅极层；其中形成所述单元栅极包括：形成单元栅极层；在所述单元栅极层的顶部上形成第三间隔件层；以及回蚀所述第三间隔件层和所述单元栅极层；以及其中所述绝缘层为氧化物-氮化物-氧化物层。