发明名称 用于生产噻吩类化合物的方法
摘要 本发明涉及一种制备噻吩类化合物的方法。该方法的目的在于制备具有限定的平均摩尔质量和窄分子量分布的半导电聚合物或半导电低聚物。
申请公布号 CN101563390A 申请公布日期 2009.10.21
申请号 CN200780047399.7 申请日期 2007.12.08
申请人 拜尔技术服务有限责任公司 发明人 F·劳舍尔;B·亨宁杰;L·姆莱齐科;K·特尔曼
分类号 C08G61/12(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 C08G61/12(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 石克虎;林 森
主权项 1.一种用于制备低聚噻吩类化合物或聚噻吩类化合物的方法,包括以下方法步骤:1.通过以下方式让至少一种溶解的具有两个离去基团的噻吩衍生物反应,得到聚合活性单体:a)将至少一种溶解的具有两个离去基团的噻吩衍生物的溶液与有机金属化合物的溶液混合,或b)使至少一种溶解的具有两个离去基团的噻吩衍生物的溶液与单质金属反应c)使至少一种溶解的具有两个离去基团的噻吩衍生物的溶液和至少一种烷基卤与单质金属反应2.通过计量添加至少一种催化剂的溶液,聚合由1得到的产物溶液3.通过计量添加至少一种额外的根据1制备的溶液,聚合由2得到的产物溶液,目的在于基于相同噻吩衍生物和/或至少一种其它噻吩衍生物扩链。
地址 德国莱沃库森